Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Васильев, В. В. - Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полев...
Васильев, В. В. - Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полев...
Статья
Автор: Васильев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полев...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Васильев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полев...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Васильев, В. В.
Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. В. Васильев, А. Ф. Кравченко, Ю. П. Машуков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 9 . – с. 1068-1071 .
Васильев, В. В.
Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In-SiO2-Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. В. Васильев, А. Ф. Кравченко, Ю. П. Машуков // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 9 . – с. 1068-1071 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 9
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 9
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный