Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Воловик, Б. В.
Влияние локализации носителей на оптические свойства гетероструктур GaAsN/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Б. В. Воловик, Н. В. Крыжановская, Д. С. Сизов, А. Р. Ковш, А. Ф. Цацульников, J. Y. Chi, J.-S. Wang, L. Wei, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 9 . – с. 1072-1076 .