Электронный каталог -Булаев, П. В. - InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Булаев, П. В. - InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...

Булаев, П. В. - InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...

Статья
Автор: Булаев, П. В.
Физика и техника полупроводников: InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Булаев, П. В.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физика полупроводниковых приборов / П. В. Булаев, В. А. Капитонов, А. В. Лютецкий, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, Д. Н. Николаев, А. А. Падалица, Н. А. Пихтин, А. Д. Бондарев, И. Д. Залевский, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 9 . – с. 1144-1148 .