Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Зеленин, В. В. - Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC из газовой фазы на вхождение Al / Атомная...
Зеленин, В. В. - Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC из газовой фазы на вхождение Al / Атомная...
Статья
Автор: Зеленин, В. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC из газовой фазы на вхождение Al / Атомная...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Зеленин, В. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC из газовой фазы на вхождение Al / Атомная...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Зеленин, В. В.
Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC из газовой фазы на вхождение Al / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. В. Зеленин, М. Л. Корогодский, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 10 . – 1172-1174 .
Зеленин, В. В.
Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC из газовой фазы на вхождение Al / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. В. Зеленин, М. Л. Корогодский, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 10 . – 1172-1174 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 10
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 10
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный