Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Айдаралиев, М. - Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика п...
Айдаралиев, М. - Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика п...
Статья
Автор: Айдаралиев, М.
Физика и техника полупроводников: Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика п...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Айдаралиев, М.
Физика и техника полупроводников: Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика п...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Айдаралиев, М.
Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика полупроводниковых приборов / М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, М. Н. Стусь, Г. Н. Талалакин // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 10 . – 1261-1265 .
Айдаралиев, М.
Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика полупроводниковых приборов / М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, М. Н. Стусь, Г. Н. Талалакин // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 10 . – 1261-1265 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 10
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 10
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный