Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Богобоящий, В. В. - Особенности прыжковой проводимости кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te при двойном легировании / Электрон...
Богобоящий, В. В. - Особенности прыжковой проводимости кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te при двойном легировании / Электрон...
Статья
Автор: Богобоящий, В. В.
Физика и техника полупроводников: Особенности прыжковой проводимости кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te при двойном легировании / Электрон...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Богобоящий, В. В.
Физика и техника полупроводников: Особенности прыжковой проводимости кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te при двойном легировании / Электрон...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Богобоящий, В. В.
Особенности прыжковой проводимости кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te при двойном легировании / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. В. Богобоящий // Физика и техника полупроводников . – 2002 . – Т. 36, N 1 . – 29-36 .
Богобоящий, В. В.
Особенности прыжковой проводимости кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te при двойном легировании / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. В. Богобоящий // Физика и техника полупроводников . – 2002 . – Т. 36, N 1 . – 29-36 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 1
2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 1
2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный