Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Соболев, М. М.
Глубокий уровень, образующийся в слоях GaN при облучении протонами / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / М. М. Соболев, Н. А. Соболев, А. С. Усиков, Н. М. Шмидт, А. Н. Якименко, Г. М. Гусинский, В. О. Найденов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 12 . – с. 1437-1439 .