Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Берман, Л. С. - Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии /...
Берман, Л. С. - Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии /...
Статья
Автор: Берман, Л. С.
Физика и техника полупроводников: Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии /...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Берман, Л. С.
Физика и техника полупроводников: Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии /...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Берман, Л. С.
Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии / Электронные и оптические свойства полупроводников / Л. С. Берман, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Ф. Ю. Солдатенков // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 5 . – 558-561 .
Берман, Л. С.
Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии / Электронные и оптические свойства полупроводников / Л. С. Берман, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Ф. Ю. Солдатенков // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 5 . – 558-561 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 5
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 5
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный