Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8МэВ / Электронные и оптические ...
Лебедев, А. А. - Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8МэВ / Электронные и оптические ...
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8МэВ / Электронные и оптические ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8МэВ / Электронные и оптические ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8МэВ / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. А. Лебедев, А. И. Вейнгер, Д. В. Давыдов, В. В. Козловский, Н. С. Савкина, А. М. Стрельчук // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 9 . – 1058-1062 .
Лебедев, А. А.
Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8МэВ / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. А. Лебедев, А. И. Вейнгер, Д. В. Давыдов, В. В. Козловский, Н. С. Савкина, А. М. Стрельчук // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 9 . – 1058-1062 .