Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимаци...
Лебедев, А. А. - Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимаци...
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лебедев, А. А.
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии в вакууме / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. А. Лебедев, Д. В. Давыдов, Н. С. Савкина, А. С. Трегубова, М. П. Щеглов, Р. Якимова, M. Syvajavi, E. Janzen // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 10 . – 1183-1186 .
Лебедев, А. А.
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии в вакууме / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. А. Лебедев, Д. В. Давыдов, Н. С. Савкина, А. С. Трегубова, М. П. Щеглов, Р. Якимова, M. Syvajavi, E. Janzen // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 10 . – 1183-1186 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 10
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 10
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный