Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бочкарева, Н. И. - Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO2 на фотоответ кремниевых...
Бочкарева, Н. И. - Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO2 на фотоответ кремниевых...
Статья
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO2 на фотоответ кремниевых...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO2 на фотоответ кремниевых...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бочкарева, Н. И.
Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO2 на фотоответ кремниевых барьерных структур / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. И. Бочкарева, С. А. Хорев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 10 . – 1228-1233 .
Бочкарева, Н. И.
Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO2 на фотоответ кремниевых барьерных структур / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. И. Бочкарева, С. А. Хорев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 10 . – 1228-1233 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 10
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 10
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный