Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Матвеев, О. А. - Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe:Cl для получения полуизолирующих кристаллов /...
Матвеев, О. А. - Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe:Cl для получения полуизолирующих кристаллов /...
Статья
Автор: Матвеев, О. А.
Физика и техника полупроводников: Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe:Cl для получения полуизолирующих кристаллов /...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Матвеев, О. А.
Физика и техника полупроводников: Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe:Cl для получения полуизолирующих кристаллов /...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Матвеев, О. А.
Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe:Cl для получения полуизолирующих кристаллов / Электронные и оптические свойства полупроводников / О. А. Матвеев, А. И. Терентьев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 11 . – 1316-1321 .
Матвеев, О. А.
Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe:Cl для получения полуизолирующих кристаллов / Электронные и оптические свойства полупроводников / О. А. Матвеев, А. И. Терентьев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 11 . – 1316-1321 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный