Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Александров, С. Е. - Особенности фотоэлектрических свойств изотопных и анизотропных гетеропереходов Si/GaN<O> / Полупр...
Александров, С. Е. - Особенности фотоэлектрических свойств изотопных и анизотропных гетеропереходов Si/GaN<O> / Полупр...
Статья
Автор: Александров, С. Е.
Физика и техника полупроводников: Особенности фотоэлектрических свойств изотопных и анизотропных гетеропереходов Si/GaN / Полупр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Александров, С. Е.
Физика и техника полупроводников: Особенности фотоэлектрических свойств изотопных и анизотропных гетеропереходов Si/GaN
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Александров, С. Е.
Особенности фотоэлектрических свойств изотопных и анизотропных гетеропереходов Si/GaN / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / С. Е. Александров, Т. А. Гаврикова, В. А. Зыков // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 11 . – 1347-1352 .
Александров, С. Е.
Особенности фотоэлектрических свойств изотопных и анизотропных гетеропереходов Si/GaN
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный