Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Евстропов, В. В. - Дислокационное происхождение и модель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах на основе GaP /...
Евстропов, В. В. - Дислокационное происхождение и модель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах на основе GaP /...
Статья
Автор: Евстропов, В. В.
Физика и техника полупроводников: Дислокационное происхождение и модель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах на основе GaP /...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Евстропов, В. В.
Физика и техника полупроводников: Дислокационное происхождение и модель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах на основе GaP /...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Евстропов, В. В.
Дислокационное происхождение и модель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах на основе GaP / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. В. Евстропов, М. Джумаева, Ю. В. Жиляев, Н. Назаров, А. А. Ситникова, Л. М. Федоров // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 11 . – 1357-1362 .
Евстропов, В. В.
Дислокационное происхождение и модель избыточно-туннельного тока в p-n-структурах на основе GaP / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / В. В. Евстропов, М. Джумаева, Ю. В. Жиляев, Н. Назаров, А. А. Ситникова, Л. М. Федоров // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 11 . – 1357-1362 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный