Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Моисеев, К. Д. - Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела /...
Моисеев, К. Д. - Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела /...
Статья
Автор: Моисеев, К. Д.
Физика и техника полупроводников: Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела /...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Моисеев, К. Д.
Физика и техника полупроводников: Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела /...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Моисеев, К. Д.
Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / К. Д. Моисеев, А. А. Ситникова, Н. Н. Фалеев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 12 . – 1438-1442 .
Моисеев, К. Д.
Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn0.17As0.22Sb с резкой планарной границей раздела / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / К. Д. Моисеев, А. А. Ситникова, Н. Н. Фалеев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 12 . – 1438-1442 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 12
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 12
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный