Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Муравский, Б. С. - Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+ -n-структурах с локально введенными в n-...
Муравский, Б. С. - Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+ -n-структурах с локально введенными в n-...
Статья
Автор: Муравский, Б. С.
Физика и техника полупроводников: Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+ -n-структурах с локально введенными в n-...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Муравский, Б. С.
Физика и техника полупроводников: Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+ -n-структурах с локально введенными в n-...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Муравский, Б. С.
Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+ -n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе / Электронные и оптические свойства полупроводников / Б. С. Муравский, О. Н. Куликов, В. Н. Черный // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 4 . – с. 393-397 .
Муравский, Б. С.
Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+ -n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе / Электронные и оптические свойства полупроводников / Б. С. Муравский, О. Н. Куликов, В. Н. Черный // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 4 . – с. 393-397 .