Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Болховитянов, Ю. Б. - Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии - достижения и проблемы
Болховитянов, Ю. Б. - Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии - достижения и проблемы
Статья
Автор: Болховитянов, Ю. Б.
Физика и техника полупроводников: Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии - достижения и проблемы
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Болховитянов, Ю. Б.
Физика и техника полупроводников: Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии - достижения и проблемы
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии - достижения и проблемы / Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, Л. В. Соколов, С. И. Чикичев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 5 . – с. 513-538 .
Болховитянов, Ю. Б.
Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии - достижения и проблемы / Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, Л. В. Соколов, С. И. Чикичев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 5 . – с. 513-538 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 37, N 5
Наука, 2003 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 37, N 5
Наука, 2003 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный