Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Альварес, Х. - Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на крем...
Альварес, Х. - Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на крем...
Статья
Автор: Альварес, Х.
Физика и техника полупроводников: Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на крем...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Альварес, Х.
Физика и техника полупроводников: Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на крем...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Альварес, Х.
Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на кремнии, от режима молекулярно-лучевой эпитаксии / Х. Альварес, Л. С. Берман, И. Н. Каримов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 3 . – с. 405-412 .
Альварес, Х.
Зависимость параметров центров, образующих глубокие уровни во фториде кальция, выращенном на кремнии, от режима молекулярно-лучевой эпитаксии / Х. Альварес, Л. С. Берман, И. Н. Каримов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 3 . – с. 405-412 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 3
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 3
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный