Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Борздов, В. М. - Влияние электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного п...
Борздов, В. М. - Влияние электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного п...
Статья
Автор: Борздов, В. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного п...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Борздов, В. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного п...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Борздов, В. М.
Влияние электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного полевого транзистора: метод Монте-Карло / В. М. Борздов, О. Г. Жевняк, Ф. Ф. Комаров // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 2 . – с. 193-200 .
Борздов, В. М.
Влияние электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного полевого транзистора: метод Монте-Карло / В. М. Борздов, О. Г. Жевняк, Ф. Ф. Комаров // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 2 . – с. 193-200 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 2
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 2
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный