Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, П. А. - Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO2-SiC путем анализа входной комплексно...
Иванов, П. А. - Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO2-SiC путем анализа входной комплексно...
Статья
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO2-SiC путем анализа входной комплексно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO2-SiC путем анализа входной комплексно...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Иванов, П. А.
Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO2-SiC путем анализа входной комплексной проводимости МОП структуры в широком температурном интервале / П. А. Иванов, В. Н. Пантелеев, Т. П. Самсонова, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 2 . – с. 271-277 .
Иванов, П. А.
Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO2-SiC путем анализа входной комплексной проводимости МОП структуры в широком температурном интервале / П. А. Иванов, В. Н. Пантелеев, Т. П. Самсонова, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 2 . – с. 271-277 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 2
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 2
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный