Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сысоев, Б. И. - Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2iiiB3vi (110)
Сысоев, Б. И. - Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2iiiB3vi (110)
Статья
Автор: Сысоев, Б. И.
Физика и техника полупроводников: Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2iiiB3vi (110)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сысоев, Б. И.
Физика и техника полупроводников: Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2iiiB3vi (110)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сысоев, Б. И.
Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2iiiB3vi (110) / Б. И. Сысоев, Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, Б. Л. Агапов, В. Д. Стрыгин // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 1 . – с. 24-32 .
Сысоев, Б. И.
Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2iiiB3vi (110) / Б. И. Сысоев, Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, Б. Л. Агапов, В. Д. Стрыгин // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 1 . – с. 24-32 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 1
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 1
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный