Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Валяев, В. В. - Эпитаксиальный рост высокочистого GaAs методом МОС гидридного осаждения с использованием криофиль...
Валяев, В. В. - Эпитаксиальный рост высокочистого GaAs методом МОС гидридного осаждения с использованием криофиль...
Статья
Автор: Валяев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Эпитаксиальный рост высокочистого GaAs методом МОС гидридного осаждения с использованием криофиль...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Валяев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Эпитаксиальный рост высокочистого GaAs методом МОС гидридного осаждения с использованием криофиль...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Валяев, В. В.
Эпитаксиальный рост высокочистого GaAs методом МОС гидридного осаждения с использованием криофильтрационной очистки арсина / В. В. Валяев, В. Л. Гуртовой, С. Ю. Шаповал, В. А. Киреев, Н. В. Смирнов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 1 . – с. 175-182 .
Валяев, В. В.
Эпитаксиальный рост высокочистого GaAs методом МОС гидридного осаждения с использованием криофильтрационной очистки арсина / В. В. Валяев, В. Л. Гуртовой, С. Ю. Шаповал, В. А. Киреев, Н. В. Смирнов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 1 . – с. 175-182 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 1
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 1
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный