Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кузнецов, А. Н. - Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3
Кузнецов, А. Н. - Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3
Статья
Автор: Кузнецов, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецов, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кузнецов, А. Н.
Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3 / А. Н. Кузнецов, А. А. Лебедев, М. Г. Растегаева, Н. А. Рогачев, Е. И. Теруков, М. П. Щеглов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 8 . – с. 1425-1429 .
Кузнецов, А. Н.
Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3 / А. Н. Кузнецов, А. А. Лебедев, М. Г. Растегаева, Н. А. Рогачев, Е. И. Теруков, М. П. Щеглов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 8 . – с. 1425-1429 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 8
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 8
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный