Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Болтаев, А. П. - Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si-TiO2
Болтаев, А. П. - Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si-TiO2
Статья
Автор: Болтаев, А. П.
Физика и техника полупроводников: Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si-TiO2
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Болтаев, А. П.
Физика и техника полупроводников: Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si-TiO2
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Болтаев, А. П.
Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si-TiO2 / А. П. Болтаев, Т. М. Бурбаев, Г. А. Калюжная, В. А. Курбатов, Т. И. Осина, Н. Н. Соловьев // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 7 . – с. 1220-1225 .
Болтаев, А. П.
Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si-TiO2 / А. П. Болтаев, Т. М. Бурбаев, Г. А. Калюжная, В. А. Курбатов, Т. И. Осина, Н. Н. Соловьев // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 7 . – с. 1220-1225 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 7
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 7
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный