Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
Лебедев, А. А. - Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки / А. А. Лебедев, М. М. Аникин, А. Н. Кузнецов, М. Г. Растегаева, Н. С. Савкина, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 7 . – с. 1231-1236 .
Лебедев, А. А.
Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки / А. А. Лебедев, М. М. Аникин, А. Н. Кузнецов, М. Г. Растегаева, Н. С. Савкина, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 7 . – с. 1231-1236 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 7
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 7
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный