Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Горчинская, Т. В. - Глубокие центры в фотодиодах, полученных на основе InxGa1-xAs/InP методом газовой эпитаксии из ме...
Горчинская, Т. В. - Глубокие центры в фотодиодах, полученных на основе InxGa1-xAs/InP методом газовой эпитаксии из ме...
Статья
Автор: Горчинская, Т. В.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры в фотодиодах, полученных на основе InxGa1-xAs/InP методом газовой эпитаксии из ме...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Горчинская, Т. В.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры в фотодиодах, полученных на основе InxGa1-xAs/InP методом газовой эпитаксии из ме...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Горчинская, Т. В.
Глубокие центры в фотодиодах, полученных на основе InxGa1-xAs/InP методом газовой эпитаксии из металл-органических соединений / Т. В. Горчинская, В. И. Кушниренко, Б. В. Щербина, К. Майнер // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 7 . – с. 1336-1341 .
Горчинская, Т. В.
Глубокие центры в фотодиодах, полученных на основе InxGa1-xAs/InP методом газовой эпитаксии из металл-органических соединений / Т. В. Горчинская, В. И. Кушниренко, Б. В. Щербина, К. Майнер // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 7 . – с. 1336-1341 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 7
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 7
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный