Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гусейнов, Э. К. - О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость CdxHg1-xTe (x=~ 0.3)
Гусейнов, Э. К. - О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость CdxHg1-xTe (x=~ 0.3)
Статья
Автор: Гусейнов, Э. К.
Физика и техника полупроводников: О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость CdxHg1-xTe (x=~ 0.3)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гусейнов, Э. К.
Физика и техника полупроводников: О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость CdxHg1-xTe (x=~ 0.3)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гусейнов, Э. К.
О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость CdxHg1-xTe (x=~ 0.3) / Э. К. Гусейнов, Н. Д. Исмайлов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 10 . – с. 1790-1795 .
Гусейнов, Э. К.
О влиянии приповерхностной области пространственного заряда на фотопроводимость CdxHg1-xTe (x=~ 0.3) / Э. К. Гусейнов, Н. Д. Исмайлов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 10 . – с. 1790-1795 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 10
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 10
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный