Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, А. Н. - Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
Андреев, А. Н. - Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
Статья
Автор: Андреев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели / А. Н. Андреев, А. С. Трегубова, М. П. Щеглов, В. П. Растегаев, С. И. Дорожкин, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 10 . – с. 1828-1832 .
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели / А. Н. Андреев, А. С. Трегубова, М. П. Щеглов, В. П. Растегаев, С. И. Дорожкин, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 10 . – с. 1828-1832 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 10
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 10
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный