Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Моисеев, К. Д. - Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsS...
Моисеев, К. Д. - Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsS...
Статья
Автор: Моисеев, К. Д.
Физика и техника полупроводников: Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsS...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Моисеев, К. Д.
Физика и техника полупроводников: Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsS...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Моисеев, К. Д.
Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsSb/p-InAs / К. Д. Моисеев, М. П. Михайлова, О. Г. Ершов, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 3 . – с. 399-404 .
Моисеев, К. Д.
Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsSb/p-InAs / К. Д. Моисеев, М. П. Михайлова, О. Г. Ершов, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 3 . – с. 399-404 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 3
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 3
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный