Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бер, Б. Я. - Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии
Бер, Б. Я. - Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии
Статья
Автор: Бер, Б. Я.
Физика и техника полупроводников: Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бер, Б. Я.
Физика и техника полупроводников: Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бер, Б. Я.
Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии / Б. Я. Бер, А. В. Меркулов, С. В. Новиков, В. В. Третьяков, Т. С. Ченг, С. Т. Фоксон, Л. С. Дженкинс, С. Е. Хупер, Д. Е. Лаклисон, Д. В. Ортон // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 3 . – с. 536-542 .
Бер, Б. Я.
Встраивание As в эпитаксиальные слои GaN при молекулярно-лучевой эпитаксии / Б. Я. Бер, А. В. Меркулов, С. В. Новиков, В. В. Третьяков, Т. С. Ченг, С. Т. Фоксон, Л. С. Дженкинс, С. Е. Хупер, Д. Е. Лаклисон, Д. В. Ортон // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 3 . – с. 536-542 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 3
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 3
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный