Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дмитриев, А. Г. - Образование глубоких центров в GaAs при лазерном облучении / Краткие сообщения
Дмитриев, А. Г. - Образование глубоких центров в GaAs при лазерном облучении / Краткие сообщения
Статья
Автор: Дмитриев, А. Г.
Физика и техника полупроводников: Образование глубоких центров в GaAs при лазерном облучении / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дмитриев, А. Г.
Физика и техника полупроводников: Образование глубоких центров в GaAs при лазерном облучении / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Дмитриев, А. Г.
Образование глубоких центров в GaAs при лазерном облучении / Краткие сообщения / А. Г. Дмитриев, В. А. Дорин, Р. Карфул, М. А. Погарский, М. И. Шульга // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 2 . – 397-398 .
Дмитриев, А. Г.
Образование глубоких центров в GaAs при лазерном облучении / Краткие сообщения / А. Г. Дмитриев, В. А. Дорин, Р. Карфул, М. А. Погарский, М. И. Шульга // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 2 . – 397-398 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 2
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 2
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный