Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Алешкин, В. Я. - Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах InxGa1-xAs-GaAs с квантовыми ямами
Алешкин, В. Я. - Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах InxGa1-xAs-GaAs с квантовыми ямами
Статья
Автор: Алешкин, В. Я.
Физика и техника полупроводников: Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах InxGa1-xAs-GaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Алешкин, В. Я.
Физика и техника полупроводников: Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах InxGa1-xAs-GaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Алешкин, В. Я.
Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах InxGa1-xAs-GaAs с квантовыми ямами / В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Л. М. Батукова, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, Т. С. Кунцевич, И. Г. Малкина, Т. Н. Янькова // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 3 . – 516-521 .
Алешкин, В. Я.
Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах InxGa1-xAs-GaAs с квантовыми ямами / В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Л. М. Батукова, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, Т. С. Кунцевич, И. Г. Малкина, Т. Н. Янькова // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 3 . – 516-521 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 3
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 3
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный