Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Голубев, В. Г. - Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения
Голубев, В. Г. - Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения
Статья
Автор: Голубев, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Голубев, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Голубев, В. Г.
Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения / В. Г. Голубев, В. В. Емцев, П. М. Клингер, Г. И. Кропотов, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 3 . – 574-577 .
Голубев, В. Г.
Процессы образования радиационных дефектов в Si:Ge при 4.2,78 и 300 К / Краткие сообщения / В. Г. Голубев, В. В. Емцев, П. М. Клингер, Г. И. Кропотов, Ю. В. Шмарцев // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 3 . – 574-577 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 3
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 3
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный