Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Завьялов, В. В. - Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe
Завьялов, В. В. - Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe
Статья
Автор: Завьялов, В. В.
Физика и техника полупроводников: Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Завьялов, В. В.
Физика и техника полупроводников: Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Завьялов, В. В.
Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe / В. В. Завьялов, В. Ф. Раданцев, Т. И. Дерябина // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 4 . – 691-702 .
Завьялов, В. В.
Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe / В. В. Завьялов, В. Ф. Раданцев, Т. И. Дерябина // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 4 . – 691-702 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 4
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 4
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный