Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Охонин, С. А. - О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 К
Охонин, С. А. - О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 К
Статья
Автор: Охонин, С. А.
Физика и техника полупроводников: О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 К
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Охонин, С. А.
Физика и техника полупроводников: О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 К
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Охонин, С. А.
О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 К / С. А. Охонин, А. А. Французов // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 5 . – 832-835 .
Охонин, С. А.
О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 К / С. А. Охонин, А. А. Французов // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 5 . – 832-835 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 5
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 5
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный