Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бычковский, Д. Н. - Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольтфарадные характеристики барьерной ...
Бычковский, Д. Н. - Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольтфарадные характеристики барьерной ...
Статья
Автор: Бычковский, Д. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольтфарадные характеристики барьерной ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бычковский, Д. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольтфарадные характеристики барьерной ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бычковский, Д. Н.
Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольтфарадные характеристики барьерной структуры / Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 5 . – 921-926 .
Бычковский, Д. Н.
Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольтфарадные характеристики барьерной структуры / Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 5 . – 921-926 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 5
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 5
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный