Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гифейсман, Ш. Н. - Поляронные параметры в полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны / Краткие сообщения
Гифейсман, Ш. Н. - Поляронные параметры в полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны / Краткие сообщения
Статья
Автор: Гифейсман, Ш. Н.
Физика и техника полупроводников: Поляронные параметры в полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гифейсман, Ш. Н.
Физика и техника полупроводников: Поляронные параметры в полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гифейсман, Ш. Н.
Поляронные параметры в полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны / Краткие сообщения / Ш. Н. Гифейсман, В. П. Коропчану // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 5 . – 949-951 .
Гифейсман, Ш. Н.
Поляронные параметры в полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны / Краткие сообщения / Ш. Н. Гифейсман, В. П. Коропчану // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 5 . – 949-951 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 5
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 5
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный