Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Канцер, В. Г. - Эффект инверсии зон приграничных электронных состояний в сверхрешетках на базе полупроводников А4В6
Канцер, В. Г. - Эффект инверсии зон приграничных электронных состояний в сверхрешетках на базе полупроводников А4В6
Статья
Автор: Канцер, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Эффект инверсии зон приграничных электронных состояний в сверхрешетках на базе полупроводников А4В6
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Канцер, В. Г.
Физика и техника полупроводников: Эффект инверсии зон приграничных электронных состояний в сверхрешетках на базе полупроводников А4В6
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Канцер, В. Г.
Эффект инверсии зон приграничных электронных состояний в сверхрешетках на базе полупроводников А4В6 / В. Г. Канцер, И. А. Леляков, Н. М. Малкова // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 9 . – 1596-1603 .
Канцер, В. Г.
Эффект инверсии зон приграничных электронных состояний в сверхрешетках на базе полупроводников А4В6 / В. Г. Канцер, И. А. Леляков, Н. М. Малкова // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 9 . – 1596-1603 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 9
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 9
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный