Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Абуталыбов, Г. И. - Экситонные, внутрицентровые и структурно-дефектные переходы в квазидвумерных кристаллах TlGaS2:Nd...
Абуталыбов, Г. И. - Экситонные, внутрицентровые и структурно-дефектные переходы в квазидвумерных кристаллах TlGaS2:Nd...
Статья
Автор: Абуталыбов, Г. И.
Физика и техника полупроводников: Экситонные, внутрицентровые и структурно-дефектные переходы в квазидвумерных кристаллах TlGaS2:Nd...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Абуталыбов, Г. И.
Физика и техника полупроводников: Экситонные, внутрицентровые и структурно-дефектные переходы в квазидвумерных кристаллах TlGaS2:Nd...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абуталыбов, Г. И.
Экситонные, внутрицентровые и структурно-дефектные переходы в квазидвумерных кристаллах TlGaS2:Nd2S3 / Краткие сообщения / Г. И. Абуталыбов, С. З. Джафарова, Н. А. Рагимова, Э. И. Мехтиев // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 9 . – 1643-1644 .
Абуталыбов, Г. И.
Экситонные, внутрицентровые и структурно-дефектные переходы в квазидвумерных кристаллах TlGaS2:Nd2S3 / Краткие сообщения / Г. И. Абуталыбов, С. З. Джафарова, Н. А. Рагимова, Э. И. Мехтиев // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 9 . – 1643-1644 .