Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бобицкий, Я. В. - Исследование лазерного гетерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внут...
Бобицкий, Я. В. - Исследование лазерного гетерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внут...
Статья
Автор: Бобицкий, Я. В.
Физика и техника полупроводников: Исследование лазерного гетерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внут...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бобицкий, Я. В.
Физика и техника полупроводников: Исследование лазерного гетерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внут...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бобицкий, Я. В.
Исследование лазерного гетерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения / Я. В. Бобицкий, А. И. Берча, Н. Л. Дмитрук, Д. В. Корбутяк, Н. А. Фидря // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 10 . – 1688-1692 .
Бобицкий, Я. В.
Исследование лазерного гетерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения / Я. В. Бобицкий, А. И. Берча, Н. Л. Дмитрук, Д. В. Корбутяк, Н. А. Фидря // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 10 . – 1688-1692 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 10
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 10
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный