Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Игнатьев, А. С. - Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
Игнатьев, А. С. - Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
Статья
Автор: Игнатьев, А. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Игнатьев, А. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Игнатьев, А. С.
Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов / А. С. Игнатьев, В. Э. Каминский, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, С. С. Шмелев, В. С. Шубин // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 10 . – 1795-1800 .
Игнатьев, А. С.
Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов / А. С. Игнатьев, В. Э. Каминский, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, С. С. Шмелев, В. С. Шубин // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 10 . – 1795-1800 .