Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 11 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 11 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Константинова, Н. Н.
Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных структур p-Cu-InSe2-n-CdS
б.г.
ISBN отсутствует
Константинова, Н. Н.
Поляризационная фоточувствительность тонкопленочных структур p-Cu-InSe2-n-CdS
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Коршунов, Ф. П.
Об акцепторных уровнях дивакансии в кремнии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Коршунов, Ф. П.
Об акцепторных уровнях дивакансии в кремнии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Краснов, А. Н.
Электрические свойства монокристаллов p-ZnSe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Краснов, А. Н.
Электрические свойства монокристаллов p-ZnSe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Магомедов, М. А.
Фотоэлектрические свойства диодов Шоттки In-p-CuInSe2 / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Магомедов, М. А.
Фотоэлектрические свойства диодов Шоттки In-p-CuInSe2 / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Исмайлов, А. А.
Влияние давления на электропроводность и эффект Холла селенида индия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Исмайлов, А. А.
Влияние давления на электропроводность и эффект Холла селенида индия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шегай, О. А.
Спектр состояний мелкого донора в сверхрешетках (GaAs)n(InAs)m / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Шегай, О. А.
Спектр состояний мелкого донора в сверхрешетках (GaAs)n(InAs)m / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шегай, О. А.
Циклотронный резонанс в сверхрешетках (GaAs)n(InAs)m / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Шегай, О. А.
Циклотронный резонанс в сверхрешетках (GaAs)n(InAs)m / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бедный, Б. И.
Электронные состояния поверхности InP, модифицированной обработкой в парах серы / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Бедный, Б. И.
Электронные состояния поверхности InP, модифицированной обработкой в парах серы / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Качурин, Г. А.
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
б.г.
ISBN отсутствует
Качурин, Г. А.
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баранов, А. Н.
Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Баранов, А. Н.
Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вербицкая, Е. М.
Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом n-кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Вербицкая, Е. М.
Глубокие уровни термодефектов в высокоомном особо чистом n-кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гаджиалиев, М. М.
Магнитотермоэдс Mn0.06Hg0.94Te при одноосной деформации
б.г.
ISBN отсутствует
Гаджиалиев, М. М.
Магнитотермоэдс Mn0.06Hg0.94Te при одноосной деформации
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гуревич, Ю. Г.
Термоэдс и термоток монополярных полупроводников ограниченных размеров
б.г.
ISBN отсутствует
Гуревич, Ю. Г.
Термоэдс и термоток монополярных полупроводников ограниченных размеров
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кладько, В. П.
Эффект дальнодействия в монокристаллах GaAs с различной плотностью дислокаций
б.г.
ISBN отсутствует
Кладько, В. П.
Эффект дальнодействия в монокристаллах GaAs с различной плотностью дислокаций
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Авруцкий, И. А.
Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотоммодуляционным спектрам
б.г.
ISBN отсутствует
Авруцкий, И. А.
Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотоммодуляционным спектрам
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Долманов, И. Н.
Интерференционные эффекты в спектрах фотоионизации структур с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Долманов, И. Н.
Интерференционные эффекты в спектрах фотоионизации структур с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Цидильковский, И. М.
Резонансные состояния, образованные примесями кобальта и никеля в селениде ртути
б.г.
ISBN отсутствует
Цидильковский, И. М.
Резонансные состояния, образованные примесями кобальта и никеля в селениде ртути
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Карпович, И. А.
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
б.г.
ISBN отсутствует
Карпович, И. А.
Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильин, Н. П.
Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Ильин, Н. П.
Основное состояние переходных элементов группы железа в арсениде и фосфиде галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильин, Н. П.
Примесный центр с частично заполненной d-оболочкой в бинарном полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Ильин, Н. П.
Примесный центр с частично заполненной d-оболочкой в бинарном полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Водаков, Ю. А.
Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Водаков, Ю. А.
Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами
б.г.
ISBN отсутствует