Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Соболев, М. М. - Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в AlxGa1-xAs, легированном Si
Соболев, М. М. - Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в AlxGa1-xAs, легированном Si
Статья
Автор: Соболев, М. М.
Физика и техника полупроводников: Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в AlxGa1-xAs, легированном Si
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Соболев, М. М.
Физика и техника полупроводников: Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в AlxGa1-xAs, легированном Si
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Соболев, М. М.
Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в AlxGa1-xAs, легированном Si / М. М. Соболев, И. В. Кочнев, М. И. Папенцев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 4 . – 663-670 .
Соболев, М. М.
Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в AlxGa1-xAs, легированном Si / М. М. Соболев, И. В. Кочнев, М. И. Папенцев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 4 . – 663-670 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 4
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 4
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный