Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 2 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 2 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Кудряшов, Н. А.
Расчет динамики фотоотклика диодов с резким переходом при высоких уровнях фотовозбуждения
б.г.
ISBN отсутствует
Кудряшов, Н. А.
Расчет динамики фотоотклика диодов с резким переходом при высоких уровнях фотовозбуждения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Акимов, Б. А.
Влияние легирования галлием на свойства твердых растворов Pb1-xGexTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Акимов, Б. А.
Влияние легирования галлием на свойства твердых растворов Pb1-xGexTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андрухив, А. М.
Хвосты плотности состояний в твердых растворах ZnxCdyHg1-x-yTe
б.г.
ISBN отсутствует
Андрухив, А. М.
Хвосты плотности состояний в твердых растворах ZnxCdyHg1-x-yTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козловский, В. В.
Компенсация проводимости n-GaAs<Yb> радиационными дефектами / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Козловский, В. В.
Компенсация проводимости n-GaAs<Yb> радиационными дефектами / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дидик, В. А.
Профили изотопов, созданных в арсениде галлия под действием а-частиц с энергией 12,16 и 20 МэВ / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Дидик, В. А.
Профили изотопов, созданных в арсениде галлия под действием а-частиц с энергией 12,16 и 20 МэВ / ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сулеман, Х.
Морфология, плотность состояний и поляризация в неоднородных слоях a-Si:H
б.г.
ISBN отсутствует
Сулеман, Х.
Морфология, плотность состояний и поляризация в неоднородных слоях a-Si:H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алешкин, В. Я.
Поглощение инфракрасного излучения дырками в структурах с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Алешкин, В. Я.
Поглощение инфракрасного излучения дырками в структурах с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Маргулис, А. Д.
Магнитоэлектрический эффект в бесщелевых полупроводниках I рода
б.г.
ISBN отсутствует
Маргулис, А. Д.
Магнитоэлектрический эффект в бесщелевых полупроводниках I рода
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Акимов, А. В.
Люминесцентное исследование долговременной кинетики носителей в эпитаксиальном арсениде галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Акимов, А. В.
Люминесцентное исследование долговременной кинетики носителей в эпитаксиальном арсениде галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ашмонтас, С.
Асимметрия перколяционной электропроводности компенсированного n-InP
б.г.
ISBN отсутствует
Ашмонтас, С.
Асимметрия перколяционной электропроводности компенсированного n-InP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Немов, С. А.
Явления переноса в Pb0.78Sn0.22Te с большим содержанием примеси In
б.г.
ISBN отсутствует
Немов, С. А.
Явления переноса в Pb0.78Sn0.22Te с большим содержанием примеси In
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дидик, В. А.
Профили изотопов, образованных в полупроводниковых соединениях А3В5 при облучении высокоэнергетич...
б.г.
ISBN отсутствует
Дидик, В. А.
Профили изотопов, образованных в полупроводниковых соединениях А3В5 при облучении высокоэнергетич...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Саидов, А. С.
Электрофизические свойства твердых растворов Si1-xGex, полученных методом жидкофазной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Саидов, А. С.
Электрофизические свойства твердых растворов Si1-xGex, полученных методом жидкофазной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Магомедов, М. А.
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS<In>-p-CuInSe2
б.г.
ISBN отсутствует
Магомедов, М. А.
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS<In>-p-CuInSe2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Галкин, И. М.
Рентгенодифракционное исследование границы раздела между кристаллами Hg1-xCdxTe и анодными пленками
б.г.
ISBN отсутствует
Галкин, И. М.
Рентгенодифракционное исследование границы раздела между кристаллами Hg1-xCdxTe и анодными пленками
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Артамонов, В. В.
Влияние лазерного облучения на физические свойства высокоомных кристаллов ZnSe
б.г.
ISBN отсутствует
Артамонов, В. В.
Влияние лазерного облучения на физические свойства высокоомных кристаллов ZnSe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бутусов, Д. М.
Механизм оптической нелинейности в волноводных p-I-N-структурах при электропоглощении света
б.г.
ISBN отсутствует
Бутусов, Д. М.
Механизм оптической нелинейности в волноводных p-I-N-структурах при электропоглощении света
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гаврикова, Т. А.
Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe<Tl, Pbx>
б.г.
ISBN отсутствует
Гаврикова, Т. А.
Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe<Tl, Pbx>
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мурин, Л. И.
О механизме подавления генерации термодоноров в кремнии примесными атомами углерода
б.г.
ISBN отсутствует
Мурин, Л. И.
О механизме подавления генерации термодоноров в кремнии примесными атомами углерода
б.г.
ISBN отсутствует