Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Быстров, С. Д. - Квантовое и классическое времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных ге...
Быстров, С. Д. - Квантовое и классическое времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных ге...
Статья
Автор: Быстров, С. Д.
Физика и техника полупроводников: Квантовое и классическое времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных ге...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Быстров, С. Д.
Физика и техника полупроводников: Квантовое и классическое времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных ге...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Быстров, С. Д.
Квантовое и классическое времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных гетероструктурах InP/In0.53Ga0.47As / С. Д. Быстров, А. М. Крещук, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 4 . – 645-654 .
Быстров, С. Д.
Квантовое и классическое времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных гетероструктурах InP/In0.53Ga0.47As / С. Д. Быстров, А. М. Крещук, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 4 . – 645-654 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 4
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 4
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный