Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Игнатьев, А. С. - Исследование статистических вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе г...
Игнатьев, А. С. - Исследование статистических вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе г...
Статья
Автор: Игнатьев, А. С.
Физика и техника полупроводников: Исследование статистических вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе г...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Игнатьев, А. С.
Физика и техника полупроводников: Исследование статистических вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе г...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Игнатьев, А. С.
Исследование статистических вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур GaAs/AlAs / А. С. Игнатьев, А. В. Каменев, В. Б. Копылов, Г. З. Немцев, Д. В. Посвянский // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 5 . – 769-774 .
Игнатьев, А. С.
Исследование статистических вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур GaAs/AlAs / А. С. Игнатьев, А. В. Каменев, В. Б. Копылов, Г. З. Немцев, Д. В. Посвянский // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 5 . – 769-774 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 5
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 5
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный