Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сукач, Г. А. - Влияние нейтронного облучения на перемещение границы p-n-перехода в светодиодах на основе GaAs<Zn...
Сукач, Г. А. - Влияние нейтронного облучения на перемещение границы p-n-перехода в светодиодах на основе GaAs<Zn...
Статья
Автор: Сукач, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние нейтронного облучения на перемещение границы p-n-перехода в светодиодах на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сукач, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние нейтронного облучения на перемещение границы p-n-перехода в светодиодах на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сукач, Г. А.
Влияние нейтронного облучения на перемещение границы p-n-перехода в светодиодах на основе GaAs / Краткие сообщения / Г. А. Сукач // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 5 . – 838-840 .
Сукач, Г. А.
Влияние нейтронного облучения на перемещение границы p-n-перехода в светодиодах на основе GaAs
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 5
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 5
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный