Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ковтун, Г. П. - Расчет температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Кир...
Ковтун, Г. П. - Расчет температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Кир...
Статья
Автор: Ковтун, Г. П.
Физика и техника полупроводников: Расчет температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Кир...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ковтун, Г. П.
Физика и техника полупроводников: Расчет температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Кир...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ковтун, Г. П.
Расчет температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Киропулоса с жидкостной герметизацией / Г. П. Ковтун, А. И. Кравченко, А. И. Жуков, А. Н. Стерлев, А. П. Щербань // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 6 . – 1025-1029 .
Ковтун, Г. П.
Расчет температурных полей в монокристаллах GaAs, выращиваемых в тонком слое расплава методом Киропулоса с жидкостной герметизацией / Г. П. Ковтун, А. И. Кравченко, А. И. Жуков, А. Н. Стерлев, А. П. Щербань // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 6 . – 1025-1029 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 6
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 6
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный