Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Абрамов, А. П. - Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярно-...
Абрамов, А. П. - Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярно-...
Статья
Автор: Абрамов, А. П.
Физика и техника полупроводников: Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярно-...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Абрамов, А. П.
Физика и техника полупроводников: Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярно-...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абрамов, А. П.
Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / А. П. Абрамов, И. Н. Абрамова, С. Ю. Вербин, И. Я. Герловин, С. Р. Григорьев, И. В. Игнатьев, О. З. Каримов, А. Б. Новиков, Б. В. Новиков // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 7 . – 1175-1179 .
Абрамов, А. П.
Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / А. П. Абрамов, И. Н. Абрамова, С. Ю. Вербин, И. Я. Герловин, С. Р. Григорьев, И. В. Игнатьев, О. З. Каримов, А. Б. Новиков, Б. В. Новиков // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 7 . – 1175-1179 .