Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Журавлев, К. С. - Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в эпитаксиальн...
Журавлев, К. С. - Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в эпитаксиальн...
Статья
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в эпитаксиальн...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в эпитаксиальн...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Журавлев, К. С.
Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в эпитаксиальном GaAs / К. С. Журавлев, Н. А. Якушева, Т. С. Шамирзаев, В. Г. Погадаев, О. А. Шегай // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 9 . – 1473-1479 .
Журавлев, К. С.
Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в эпитаксиальном GaAs / К. С. Журавлев, Н. А. Якушева, Т. С. Шамирзаев, В. Г. Погадаев, О. А. Шегай // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 9 . – 1473-1479 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 9
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 9
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный